商品名称：铟镓砷InGaAs线阵图像传感器 G14006-512DE
商品型号：G14006-512DE
品牌：滨松光子
封装规格：Ceramic
商品类别：
二级分类：滨松InGaAs铟镓砷图像传感器
商品批号：
货期：现货
商品编号：
商品重量：0.001kg
库存数量：1000 个
单价：
滨松 铟镓砷InGaAs线阵图像传感器 G14006-512DE
单视频线（512像素）近红外图像传感器（1.12至1.9μm）
G14006-512DE InGaAs线性图像传感器专为异物检测设备而设计。 线性图像传感器由InGaAs光电二极管阵列和CMOS芯片组成，其包含电荷放大器阵列，偏移补偿电路，移位寄存器和定时发生器。 InGaAs光电二极管阵列和CMOS芯片通过铟凸块导电连接。 电荷放大器阵列由连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素的CMOS晶体管组成。 在电荷积分模式下读出来自每个像素的信号，以在近红外光谱范围内实现高灵敏度和稳定操作。 CMOS芯片上的信号处理电路提供两级转换效率（CE）以供选择，根据应用要求可通过调整外部电压进行选择。
产品特性
● 单视频线（512像素）
● 高速数据速率：最大5 MHz
● 两个转换效率级别可供选择
● 像素大小：25×25μm
● 内置温度传感器
● 像素之间线性度的变化很微小
● 室温操作
| 图像尺寸 | 12.8 x 0.025 mm |
| 像素尺寸 | 25 x 25 μm |
| 像素间距 | 25 μm |
| 总像素个数 | 512 pixels |
| 封装 | Ceramic |
| 帧频 (最大值) | 8150 lines/s |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 光谱响应范围 | 1120 to 1900 nm |
| 暗电流（典型） | ±10 pA |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted |
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