商品名称：铟镓砷InGaAs线阵图像传感器 G11478-512WB
商品型号：G11478-512WB
品牌：滨松光子
封装规格：Metal
商品类别：
二级分类：滨松InGaAs铟镓砷图像传感器
商品批号：
货期：4个月
商品编号：
商品重量：0.1kg
库存数量：1000 个
单价：
滨松 铟镓砷InGaAs线阵图像传感器 G11478-512WB
近红外传感器（0.9至2.55μm）
G11475至G11478系列是一款InGaAs线性图像传感器，专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列，并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比，这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封，可靠性极佳。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率（CE）成为可能。
产品特性
● 低噪音，低暗电流
● 可从两种转换效率类型中选择
● 两种可选的转换效率
● 内置饱和对抗电路
● 内置CDS电路
● 内置热敏电阻
● 操作简便（内置定时发生器）
● 高分辨率：25μm间距
| 图像尺寸 | 12.8 x 0.25 mm |
| 像素尺寸 | 25 x 250 μm |
| 像素间距 | 25 μm |
| 总像素个数 | 512 pixels |
| 封装 | Metal |
| 帧频 (最大值) | 9150 lines/s |
| 制冷方式 | Two-stage TE-cooled |
| 光谱响应范围 | 900 to 2550 nm |
| 暗电流（典型） | 1000 pA |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted Tchip=-20℃ |
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答：部分商品可以直接下单，但考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，请您直接联系商城客服，您也可以点击询价或提交BOM单，我们将会与您联系并给出对应的解决方案。
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