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滨松InGaAs铟镓砷图像传感器/滨松光子/滨松 铟镓砷InGaAs线阵图像传感器 G11135-512DE

商品名称:滨松 铟镓砷InGaAs线阵图像传感器 G11135-512DE

商品型号:G11135-512DE

数据手册:

品牌:滨松光子

封装规格:Ceramic

商品类别:

二级分类:滨松InGaAs铟镓砷图像传感器

商品批号:2021/2/3/A/QX

货期:现货

商品编号:

商品重量:0.001kg

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订购量:

铟镓砷(InGaAs)线阵图像传感器 G11135-512DE

线阵(512像素)近红外(0.95 to 1.7 μm)图像传感器
G11135系列是为异物检测设备而设计的铟镓砷线阵图像传感器。该传感器由铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片组成,CMOS芯片内部包含电荷放大阵列、偏执补偿电路、移位寄存器和时序产生器。铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片由铟球连接。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率(CE),以满足不同的应用需要。


产品特性
● 线阵(512像素)
● 高速数据率:最大5 MHz
● 两种转换率可选
● 像素尺寸:25×25μm
● 内置温度传感器
● 像素之间的线性度差异小
● 低成本


详细参数

图像尺寸12.8 x 0.025 mm
像素尺寸25 x25 μm
像素间距25 μm
总像素个数512
封装Ceramic
帧频 (最大值)8150lines/s
制冷方式Non-cooled
光谱响应范围950 to 1700 nm
暗电流(典型)2.5 pA
测试条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted

光谱响应

滨松 铟镓砷InGaAs线阵图像传感器 G11135-512DE(图1)

外形尺寸(单位:mm)

滨松 铟镓砷InGaAs线阵图像传感器 G11135-512DE(图2)
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艾迈斯CMOS线阵图像传感器

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品牌:艾迈斯欧司朗 ams-osram

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封装:Invar

品牌:艾迈斯欧司朗 ams-osram

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封装:Invar

品牌:艾迈斯欧司朗 ams-osram

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品牌:艾迈斯欧司朗 ams-osram

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品牌:艾迈斯欧司朗 ams-osram

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1.平台上看到的库存、价格准确吗?

答:部分商品可以直接下单,但考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,请您直接联系商城客服,您也可以点击询价或提交BOM单,我们将会与您联系并给出对应的解决方案。


2. 商品都是原装正品吗?

答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。


3.可以提供原厂或代理的资质证明吗?

答:目前我们自营代理的品牌包含滨松,USHIO,新唐科技等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。


4.我可以通过BOM单进行询价吗?

答:为客户提供极具行业特色的电子元器件BOM表一站式供应链解决方案,只需联系商城客服提交物料清单,即可获得报价。


5.下单后什么时候能发货?多久能到?

答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。


6.能开发票吗?

答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。