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II-VI高意与天域半导体达成战略合作 供应150nm SiC基板

        顶点资讯2021年11月10日消息,II‐VI Incorporated(II-VI高意)在今天宣布,与东莞天域半导体科技有限公司达成战略合作,为其供应150nm SiC基板。


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        天域半导体表示,通过与II-VI高意合作,将确保供应链更加多样化,未来200nm半导体产品的质量会有可靠的保证。SiC基片对于智能电网、数据网络电源、可再生能源、电动汽车和微电网至关重要,此次合作将为这些行业对于SiC电力电子的需求提供强有力的保障。


拥有众多“中国首家”的天域半导体


        天域半导体是我国大陆首家从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业,是中国首家获得汽车质量认证(IATF 16949)的SiC半导体材料供应商,是目前中国拥有碳化硅外延炉-CVD最多的半导体企业,产能达到5000件/月。今年7月,天域半导体还获得了华为的哈勃投资。


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        早在2010年,天域半导体就与中国科学院半导体研究所合作,成立了SiC研究所,提供MOSFET、 IGBT、GTO、JFET、BJT、n-型/p-型掺杂外延材料和制作肖特基二极管。


II-VI高意加快在中国扩产的步伐


        为满足全球最大的清洁能源和电动汽车(EV)市场的巨大需求,II-VI高意明显加快了在中国扩产的步伐。


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        今年4月中旬,II-VI在位于福州的总部成立了一个后端加工生产线,所有的生产环节都在100级和1000级的洁净室中进行。该生产线主要进行后端SiC晶圆加工,包括化学机械抛光、边缘研磨、清洗和检测,生产的产品主要用于SiC导电衬底。

        该生产线仅仅是II-VI扩产计划中的一部分。按照计划,II-VI将在未来5年把SiC基板的产能扩大5-10倍,其中包括200nm SiC基板。

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        4月下旬,II-VI最大的研发和技术中心---上海研发中心建成,拥有员工近600名。


        8月底,II-VI联合福州政府,启动128个亿元级别重点技改项目,其中包括II-VI高意碳化硅衬底片项目。


        目前,在中国福州、广州、上海、深圳、苏州和无锡等城市,II-VI已经建成了一大批生产基地和研发中心。