顶点商城2022年1月6日消息，氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料之一，可以满足现代电子技术对高频、高压、高温、高辐射和高功率等条件的要求，相比硅基半导体，可以使电子元器件的体积缩小超过75%，功耗降低超过50%。因此，GaN广泛应用在光伏逆变器、通讯设备和电动车快充等领域。

        韩国东部高科株式会社（Dongbu HiTek Co., Ltd.，简称东部高科）正在研究将GaN材料薄膜，沉淀在硅晶圆上制成硅基GaN，来生产8英寸半导体电子元器件。因为采用硅基GaN技术可以简化晶圆工艺，提升器件的竞争力，从而提高代工厂的盈利能力。

200mm硅晶圆衬底上制出的GaN MIS-HEMT器件

        东部高科是新晋的全球十大晶圆代工厂之一，专门从事8英寸晶圆代工，主营业务为智能机器人、人工智能和物联网等工业4.0所需要的芯片，进行晶圆代工。在2021年全球晶圆代工的价格大幅上涨的行情下，东部高科在第三季度创造了单季营收新纪录，相比上季度增幅15.6%，达到2.8亿美元，成功跻身全球晶圆代工厂第十位。

        硅基GaN并不是东部高科的首创，首次将硅基GaN技术导入晶圆代工的是台积电。在2020年2月，台积电与意法半导体合作，采用硅基GaN技术为意法半导体生产GaN器件。台积电已经规划在2022年，推动第三代半导体器件进行市场化。

        东部高科目前也正在加紧布局第三代半导体，积极开发SiC和GaN等第三代半导体材料应用。据之前透漏的消息，东部高科已经开始进行SiC和GaN生产设备的评估，可能会在今年进行相关产线的建设。在去年11月份就有消息表示，东部高科会在今年第一季度进行SiC和GaN功率器件的研发，这也标志着东部高科正式进入第三代半导体功率市场。

东部高科工程师正在对晶圆进行检查

        目前，东部高科正在研发6至8英寸SiC功率器件，计划是在今年第一季度推出试产品。同时，东部高科GaN基功率器件的研发也在进行中。此次的报道也证实了东部高科正在加紧布局第三代半导体，打算在新的赛道上实现弯道超车，扩大其全球晶圆代工的市场份额。