顶点商城2022年1月20日消息，最近，国际EUV光刻机巨头阿斯麦（ASML）公布2022年第一季度的财报预测，预计第一季度将实现营收33-35亿欧元，预计2022年全年的营收将在2021年的基础上增加20%左右。

        根据相关数据统计，从2020年的第三季度到2021年的第二季度，ASML在这四个季度内，一共向市场供应了四十台EUV光刻机，出货量环比增加了66%（具体数据为24台）。

        从具体的市场需求来看，用于生产逻辑芯片的5nm-7nm晶圆，4.5万片的月产能就需要一台EUV光刻机来绘制EUV层。月产能10万片的16nm以下动态随机存取存储器（DRAM），一层就平均需要1.5到2台EUV光刻机设备。全球最大的存储芯片供应商---三星，正计划将14nm DDR5 DRAM芯片的EUV应用层数从一层增加到五层。韩国的另一家存储芯片供应大厂---SK海力士也准备增加EUV应用层数。这些因素都将直接拉升EUV光刻机的需求。

        ASML的EUV光刻机在市场上一直都是奇货可居的存在。自从2018年，三星首次引入了7nm工艺的EUV光刻机之后，台积电和SK海力士也相继加入了购买EUV光刻机的竞争。随后，美光和英特尔也在计划引进EUV光刻机，EUV光刻机的市场规模也一路高歌猛进。

        为了应对市场需求的增加，ASML计划将2022年EUV光刻机的产量增加到55台，2023年增加到60台。按照这个产量计划，从2021年到2023年，将会共有250台左右的EUV光刻机投放到市场上，这个数量已经超过了迄今为止市面上存在的EUV光刻机数量总和。

        虽然ASML在不断地增加EUV光刻机的出货量，但是对于市场的需求来说，还远远不够。随着SK海力士和美光加入引进EUV光刻机的队伍，竞争已经越来越激烈，尤其是台积电、三星和英特尔这三家。

英特尔

        英特尔在去年宣布重返晶圆代工市场，七月份就推出了先进制程技术蓝图。根据蓝图规划，英特尔将会在未来四年内推出5个新世代芯片制程技术，同时将以前的10 nm Enhanced SuperFin更名为Intel 7、7nm正名为Intel 4，等等。按照规划，到2025年英特尔就能达到2nm制程工艺水平，达到赶超台积电的目的。

        想要实现这些蓝图，第一步就是要争夺最先进的EUV光刻机。英特尔在本周宣布，已经早于台积电和三星完成了高NA EUV光刻机---TWINSCAN EXE:5200的引进。TWINSCAN EXE:5200目前还在研发阶段，单台设备的价格就高达三亿美元。

        根据ASML披露的研发进度，TWINSCAN EXE:5200有望在2024年年底进行首批交付，并进行验证测试，最快将在2025年投入到晶圆生产中。根据介绍，TWINSCAN EXE:5200每小时的晶圆吞吐量超过了220片。

        作为美国企业，英特尔一直能最先获得ASML最先进的光刻机，四年前就是如此。当时，英特尔最先获得ASML第一代0.55NA光刻机EXE:5000。和上一代光刻机相比，0.55NA的分辨率从13nm提高到了8nm，能够更快更好的曝光更加复杂和精细的集成电路图案。根据英特尔公布的先进制程技术蓝图，EXE:5000将用于3nm制程，EXE:5200则可能会用于未来的20A或者18A制程。

三星

        根据其他渠道掌握的消息，三星也在紧急抢购高NA EUV光刻机，甚至ASML的高NA EUV光刻机不需要经过出厂测试，可以装配完成之后，直接送到三星工厂来进行测试。这种交货方式尚属业界首次。

        三星表示，其首颗3nm制程GAA工艺芯片相比5nm制程，芯片面积减小了35%，在功耗相同的情况下，性能可以提升30%；在性能相同的情况下，功耗可以降低50%。三星还表示，3nm制程的良率正在稳步提升，已经快要赶上4nm制程了。三星预计在今年推出第一代3nm 3GAE技术，2023年改良推出全新的3nm 3GAP技术，到2025年就可以投产2nm 2GAP制程芯片。为了匹配这些先进工艺的革新，三星必定会需要更多的、最新的EUV光刻机。

        根据公开数据统计，截止到2020年，台积电一共采购了差不多40台EUV光刻机，而三星只有18台左右，还不到台积电的一半。2022年，三星预计会购买差不多18台EUV光刻机，EUV光刻机的总数将达到台积电的60%。

台积电

        前几天，台积电透露其高达440亿美元的资本支出，将主要用于2nm等先进制程工艺。这表示台积电已经在2nm制程工艺方面有了较大的突破，必将更加迫切地要得到高NA的EUV光刻机，以进行2nm制程后续研发和试产。据台积电供应链透露的消息，台积电将会在今年第四季度成立2nm制程试产研发小组。

        台积电在其年报信息上表示，3nm最新EUV光刻机技术表现出了非常好的光学性能，且能够达到预期的良率，减少曝光机光罩缺陷及制程堆栈误差，同时还能降低整体成本。2nm及更先进制程EUV光刻机将着重于改善极紫外光技术的质量与成本。

        这表明台积电与ASML正在进行非常紧密的合作。通过与ASML进行合作，不光能够保证获得最大数量的EUV光刻机支持，还能保证台积电相关设备的技术开发更加领先。这一点是三星和英特尔无法赶超台积电的巨大优势。