顶点光电子商城2022年5月9日：近日，浙江大学杭州国际科创中心成立于2019年，科创中心以打造世界一流水平，引领未来发展的全球顶尖科技创新中心为目标。（以下简称“科创中心”）先进半导体研究院在首席科学家杨德仁院士的带领下，利用全新的熔体法技术路线研制氧化镓体块单晶以及晶圆（氧化镓晶圆对高性能功率器件研发有着重要价值）。研制出2英寸的氧化镓晶圆。此次研制，需要整整三天时间。

        氧化镓单晶生长在1800摄氏度的高温熔炉，从准备原料到最后单晶产品生成，需要整整三天。

        而此次浙江大学杭州国际科创中心采用新方法减少了铱的使用，成本更低。研发团队张辉表示：使用新技术路线生长的氧化钾晶圆具有特异性，使得制作的功率器件具较好的性能，并且是采用熔体法新路线，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程具有更大的产业化前景。

        使用完全自主知识产权技术生长的直径2英寸的氧化钾晶圆在国际尚属首次，在国际上下一步，计划在两年内制造出直径4英寸级别的大尺寸氧化镓晶圆。