顶点光电子商城2022年8月22消息：近日，三星电子已于8月19日在韩国京畿道器兴园区举行了下一代半导体研发（R&D）园区动工仪式。

       该研发园区总面积约10.9万平方米，将主管NAND闪存、晶圆代工、系统芯片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元（约合人民币1030亿元）。

       据悉，这是三星电子自2014年以来时隔8年在国内新建研发中心。三星电子相关人士表示，若建成具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品研发时间，提升半导体质量。

       目前，三星和台积电是全球仅有的两家合同芯片制造商能够以先进的制造技术制造半导体，而后者在市场上处于领先地位。

       当前，存储芯片制造商正在竞相增加其产品层数。SK海力士最近完成了238层产品的开发，美光科技宣布开发出全球首款232层NAND闪存产品。