顶点光电子商城2022年10月9日消息：近日，星电子在美国加州硅谷举办2022年三星科技日，会上三星首次推出了其第8代V-NAND（512Gb）。

        三星的第8代V-NAND（512Gb）位密度提高了42%，在迄今为止的512Gb三级单元（TLC）内存产品中达到了业界最高的位密度。

        三星表示，全球最高容量的1Tb TLC V-NAND将于今年年底向客户提供。到 2027 年，HPC、汽车和 5G 芯片的比例将超过 50%，计划瞄准高性能和低功耗的半导体市场，并将先进制程节点的产能扩大三倍以上。三星将增强其基于 GAA 的 3nm 工艺，用于 HPC 和移动设备的芯片；目前三星为汽车级芯片提供 28nm eNVM 解决方案，计划 2024 年将推进到 14nm eNVM 解决方案，未来还会有 8nm eNVM 解决方案；射频芯片方面，继 14nm 工艺后，会有 8nm 工艺，5nm 工艺也在开发当中。

        NAND方面，目前，三星电子正在量产第7代Vertical NAND（V-NAND）闪存，其第九代V-NAND正在开发中，还计划从2024年开始量产第9代NAND闪存。

        三星称，到2030年，公司设想堆叠超过1000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。

        另外DRAM方面，三星电子正在量产第4代10nm级DRAM，而目前1b DRAM正在开发中，并计划从2023年开始量产第5代10nm级（1b）DRAM。

        为了克服DRAM扩展到10nm范围以外的挑战，三星表示，一直在开发图案、材料和架构方面的颠覆性解决方案，高K材料等技术正在顺利进行中。

        活动最后，三星重申其提升客户价值和追求以客户为导向的发展理念的首要目标，进一步扩大其生态系统合作伙伴关系。为了刺激更广泛的开放式创新，三星将开设三星内存研究中心 (SMRC)，客户和合作伙伴可以在该中心在各种服务器环境中测试和验证三星内存和软件解决方案。从今年第四季度在韩国开设第一家 SMRC 开始，三星计划随后与红帽和谷歌云等生态系统合作伙伴合作，在美国和世界各地推出更多的中心。