顶点光电子商城2022年10月24日消息：近日，士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。

          士兰明镓正在加快后续设备的安装和调试，目标是在今年年底形成月产2000片6英寸的6英寸SiC芯片的生产能力。公司已完成第一代平面栅SiC-MOSFET随着技术的发展，性能指标已达到行业内同类器件结构的先进水平。公司已将公司提供。SiC-MOSFET芯片封装在汽车主驱动功率模块上，参数指标较好，继续完成评估，即将向客户送样。

          近年来，SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能，这对电力电子行业的发展意义重大。与Si器件相比，SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。据了解，SiC功率器件的能量损耗只有Si器件的50%，发热量只有Si器件的50%，且有更高的电流密度。在相同功率等级下，SiC功率模块的体积显著小于Si功率模块,以智能功率模块IPM为例，利用SiC功率器件，其模块体积可缩小至Si功率模块的1/3～2/3。

         作为第三代半导体材料的典型代表，SiC具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力，是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半导体器件材料。在新能源汽车领域，SiC功率半导体主要用于驱动和控制电机的逆变器、车载DC/DC转换器、车载充电器(OBC)等。车载充电器和充电桩使用SiC器件后将充分发挥高频、高温和高压三方面的优势，可实现充电系统高效化、小型化和高可靠性。

       SiC功率器件存在很多优势，未来发展空间也很大，士微兰将加速推进SiC生产线建设。