近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。

         海力士的这款第八代3D NAND闪存单颗容量为1Tb也就是128GB，最高数据吞吐量为194MB/s，与目前的第七代闪存相比提升了18%，除此之外通过引入三重验编程，将延迟降低10%，从而提升闪存的性能，而且更高的存储密度自然可以大幅降低闪存的制造成本，也可以带来更大容量的闪存。

       第八代3D NAND Flash采用5项新技术。预计最快2024年问世。

       首先，三重验证程式（TPGM）功能可缩小单元阈值电压分布，并将tPROG（编程时间）减少10%，转化成更高性能。

       其次，采用Adaptive Unselected String Pre-Charge(AUSP)技术，再将tPROG降低约2%。

        第三，APR方案可将读取时间降低约2%，并缩短字线上升时间。

        第四，编程虚拟串（PDS）技术可藉由降低通道电容负载缩短tPROG和tR的界线稳定时间。

        最后，平面级读取重试（PLRR）功能，允许不终止其他平面下，更改平面的读取等级，立即发出后续读取命令，提高服务质量(QoS)，提高读取性能。