近日，英诺赛科推出了采用TO252 / TO220封装的氮化镓新品，并将其应用在120W 双面板适配器方案中，将高效率、高功率密度和高性价比三项特性发挥到极致。

         该新品尺寸：56mm*46mm*20mm；效率：94.6%@230Vac（without NTC）；功率密度：38W/in^3InnGaN、INN700TK240A（TO252）、INN700TJ240A（TO220F）；拓扑结构：Flyback （CCM @90Vac / QR）。

         另外，采用TO封装，效率达94.6%。

        氮化镓是一种第三代半导体材料，目前第三代半导体材料主要以 siC 和 GaN 为主，相比前者，GaN 材料在电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度等方面更具优势。而在 5G 时代，由于信号频率增高，电子器件需要向大功率、高频、小型化转变，氮化稼材料做成的功率器件正好契合这一趋势，也因此，被市场认为是替代 sic 最好的材料。

          氮化镓(GaN) 凭借高频低阻、高导热、耐高温等优势，成为电子器件和射频器件的潜在替换材料。

         英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成。