近日，英飞凌推出SEMPER Nano NOR Flash闪存产品。

           该闪存产品具有高功率密度、较小占板面积、低功耗等优势特性。这种存储器经过专门优化，适合在电池供电的小型电子设备中使用。

          该器件采用了英飞凌MIRRORBIT™专利技术，可采用KGW，WL-CSP和BGA等不同封装形式。关键的技术参数包括256Mbit密度、1.8V工作电压和高达40Mbps的SPI吞吐量等。

          英飞凌 SEMPER Nano NOR Flash 闪存产品提供了工业级和商用级两种 256 Mbit 1.8 V 配置，其 SPI 吞吐量高达 40 Mbyte/s，可实现业内领先的待机电流和有效电流。内置纠错码（ECC）增强了可靠性，可配置的扇区架构则支持对代码或数据存储进行优化。

          各种创新应用层出不穷，有望彻底改变生活方式，而半导体在其中发挥着关键作用。通过使用生活中越来越智能化的电子产品，可以做出更好的健康选择，通过追踪亲人的身体状况，确保他们的安全。有了 SEMPER Nano，能在极其紧凑的空间中提供更大的存储容量，助力客户为他们的智能设备增添更多功能，同时还能通过内置 ECC 增强系统的可靠性。