近日，纳微半导体宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二极管，可有效满足数据中心、工业电机驱动、太阳能和消费电子等要求严格的应用需求。

         该款650伏的混合式PIN-肖特基 (MPS™)二极管采用独特的PiN-Schottky结构，提供低内置电压偏置（低门槛电压）以实现在各种负载条件下的最高效率和卓越的鲁棒性。应用领域包括服务器/电信电源的PFC电路、工业电机驱动、太阳能逆变器、LCD/LED电视和照明。

         此外，该SiC功率二极管采用表贴封装（QFN，D2-PAK）和插件（TO-220，TO-247）封装形式，GExxMPS06x系列MPS二极管覆盖了从300W到3000W的应用范围，并适用于多种电路。

         纳微半导体（Navitas Semiconductor）成立于 2014 年，专注于开发超高效的氮化镓半导体产品。

        氮化镓功率芯片将氮化镓电源与驱动、控制和保护集成在一起，为移动设备、消费产品、企业、电动汽车和新能源市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。作为立足于中国本土的、全球领先的氮化镓功率芯片公司，纳微半导体目前已经拿下超过200多项专利，超过3000万个GaNFast功率芯片已经发货，没有任何关于纳微氮化镓功率芯片的现场故障报告。

          此前，2021年10月20日，纳微半导体敲响了纳斯达克的开市钟，并开始在纳斯达克交易，企业价值超过10亿美元，总融资额超过3.2亿美元。

         未来，纳微半导体会不断进步，推出了新的氮化镓功率芯片，为氮化镓技术的发展翻开新篇章。