近日，安森美拟投资20亿美元提高SiC芯片产量。

        安森美半导体首席执行长Hassane El-Khoury表示，公司碳化硅芯片生产目前集中在韩国富川的一家工厂。该公司计划寻找“端到端”生，下一步是希望打造端到端（end-to-end）的生产流程，也就是采取一条龙式生产，将碳化硅粉末制成芯片，而不受单一生产据点的限制。

       由硅组成的半导体材料改变了我们的生活，相信在未来很长的一段时间里，硅半导体依然会是主流。在硅材料几十年的发展过程中，也遇到了一些问题，很多人尝试用不同的材料去替代它。半导体材料也发展了三代。碳化硅就是第三代半导体材料。由于SiC具有宽禁带宽度，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。受益于SiC的材料特性，SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。

         安森美希望，2027 年前能让自家SiC 市占率提高到 40%。