近期，Nexperia 发布了一款适用于大功率应用的新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管。

        碳化硅（SiC）肖特基二极管是一种高性能半导体器件，由碳化硅与金属接触结构制成。SiC肖特基二极管相比于传统硅材料的二极管，具有更低的开关损耗、更高的开关速度、更好的温度特性和更高的击穿电压等优势，因此在高温、高电源电压和高频应用中得到了广泛的应用。

        新产品 PSC1065K 是一款 650 V、10 A 二极管，专为需要大功率运行的工业级应用而设计。与非 SiC 产品相比，新型二极管采用碳化硅设计，具有更高的功率效率、开关速度和击穿电压。此外，PSC1065K 可在高达 175°C 的温度下运行。

       新型 650 V SiC 二极管的merged-PiN 肖特基结构使其在要求苛刻的电源转换应用中表现出色。图片由Nexperia提供

        该器件非常适合开关电源、不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器等应用。

        Nexperia是一家全球领先的半导体公司，专注于为汽车、工业和消费电子市场提供高质量、高性能和高可靠性的半导体解决方案。Nexperia的产品覆盖面广泛，包括二极管、晶体管、稳压器和逻辑器件等。作为一家专注于为汽车、工业和消费电子市场提供半导体解决方案的公司，Nexperia致力于为客户提供高可靠性、高质量和高性能的半导体产品，以帮助他们提高效率，降低成本，并提高市场竞争力。Nexperia的产品广泛应用于汽车电子、网络基础设施、消费电子、工业自动化、医疗和航空等领域。

      SiC肖特基二极管相比于传统硅材料的二极管，具有更低的开关损耗、更高的开关速度、更好的温度特性和更高的击穿电压等优势，因此在高温、高电源电压和高频应用中得到了广泛的应用。