顶点光电子商城7月5日消息：近日，碳化硅衬底厂商天岳先进表示，公司具备碳化硅衬底制备全流程核心关键技术，已与国际半导体知名企业加强合作，包括英飞凌、博世集团等全球知名企业。

           碳化硅单晶衬底材料是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、击穿电场强度高、电子饱和漂移速度高等优良的物理化学特性，是制备碳化硅电力电子器件、氮化镓微波功率器件和大功率高亮度LED的最佳衬底材料，属于高技术战略材料。

           其中基于碳化硅衬底的氮化镓微波器件功率密度较砷化镓器件提高5倍以上，散热性能好，可以极大提高微波系统的功率，减小体积，已经在雷达等军事电子装备中得到批量应用，而且也是未来5G通信的核心微波器件。碳化硅电力电子器件导通电阻比硅器件低1000倍左右，可大幅降低电力损耗，开关速度比硅器件高100倍左右，功率密度大幅度提升，在新能源汽车、光伏逆变、电力机车、高压速变电等领域有广阔的应用前景。

            SiC半导体应用发展进入快车道，特别是在高压高功率领域优势更加凸显，新的应用场景不断涌现。在市场需求爆发的背景下，SiC的供需缺口也较大。

            未来，公司持续加大研发力度，在晶体生长和缺陷控制等核心技术领域展开密集的试验，不断突破技术瓶颈，提高产品良率。