顶点光电子商城7月17日消息：近日，美国宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院的研究人员就研发了一种新的FE-FET设计，在计算和存储方面都展示了破纪录的性能。

           据悉，这种全新的晶体管在铁电材料氮化铝钪（AlScN）上覆盖了一种叫做二硫化钼（MoS2）的二维半导体，首次证明了这两种材料可以有效地结合在一起，制造出对工业制造有吸引力的晶体管。该设备以其前所未有的薄而闻名，允许每个单独的设备以最小的表面积运行。此外，这些微型设备可以以可扩展到工业平台的大型阵列制造。

          半导体（MoS2）仅0.7纳米，能够携带的电流量也打破了纪录。新设计使用了20纳米的AlScN和0.7纳米的MoS2，FE-FET能可靠地存储数据，并实现快速访问。

          未来，FE-FET非常有前途，这些多功能设备几乎可以在你能想到的任何技术中占有一席之地，尤其是那些支持人工智能并消费、生成或处理大量数据的技术——从传感到通信等等。