顶点光电子商城7月19日消息：近日，纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品，该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。

            SiC（碳化硅）二极管是一种基于碳化硅材料制造的电子器件，具有独特的性能特点。相比传统的硅二极管，SiC二极管具有更高的电子迁移率、更高的击穿电压和更低的漏电流。

            1200V系列二极管在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能展现出卓越的效率特性，完美满足中高压系统的需求。其纳芯微NPD020N120A SiC二极管在额定电流下的正向导通电压实测典型值为1.39V，而单次浪涌电流的实测典型值可以达到220A，是正向额定电流的11倍，性能优于行业水平。

           纳芯微SiC二极管是高性能的电子器件，具有以下特点：

           1. 高耐压能力：这些SiC二极管能够承受高达1200V的工作电压，比传统硅二极管具有更高的击穿电压能力。

           2. 低导通损耗：由于碳化硅材料的特性，纳芯微1200V系列SiC二极管具有低导通电阻，从而减少了能量损耗和热量产生。

          3. 快速开关速度：这些SiC二极管具有极短的开关延迟和恢复时间，适用于高频开关应用。

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          4. 高温性能：碳化硅材料具有优异的高温性能，纳芯微1200V系列SiC二极管能够在较高温度下稳定工作，适用于高温环境中的应用。

          纳芯微的1200V系列SiC二极管产品通常具有多种封装类型和电流等级选项，以满足不同应用的需求。纳芯微电子成立于2013年，是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司，公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向，提供丰富的半导体产品及解决方案，并被广泛应用于汽车、工业、信息通讯及消费电子领域。