顶点光电子商城7月24日消息：近日，全球半导体制造商罗姆开发出EcoGaNTM Power Stage IC “BM3G0xxMUX-LB”，面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源。

           新产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。功耗方面，与现有的Si MOSFET相比，新产品器件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，有助于减少服务器和AC适配器的体积或损耗。

           在外形上，新产品为VQFN封装，8x8mm，厚度是1毫米的IC，一体化的封装。在元器件数量上，普通产品是9个相关元器件，而罗姆新产品将驱动方式进一步简化，外置Power Stage相关元器件只需1个，有助于应用产品的小型化。

           在电压方面， 新产品支持更宽的驱动电压范围(2.5V~30V)，拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET。目前，新产品有两款，分别是BM3G007MUV-LB、BM3G015MUV-LB，导通电阻分别是70毫欧和150毫欧。

            此外，还备有三款评估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用来评估芯片的整体方案性能，另外两款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客户现有方案进行测试。