顶点光电子商城2023年10月20日消息：近日，格芯（GlobalFoundries）宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片。

         氮化镓芯片是新一代半导体技术，其运行速度比传统硅芯片快20倍，并且在尺寸和重量减半的情况下可将功率和充电速度提高3倍。

         氮化镓芯片的制造工艺十分复杂，需要先在半导体衬底上制造出氮化镓材料，然后进行电路设计和刻蚀、薄膜制备、离子注入等核心工艺，最后进行封装测试。

          氮化镓芯片主要应用于电源转换和分配电路、DC-DC转换器、音频放大器、射频放大器、激光器、传感器等电子设备中。氮化镓芯片的优势有：

         高频率：氮化镓材料耐热性好，因具有高电子迁移率而成为高频的“赢家”，其电子迁移率高于碳化硅，可提高晶体管的开关转换速度，适用于高频率、大功率电路中。氮化镓芯片的制造工艺十分复杂，需要先在半导体衬底上制造出氮化镓材料，然后进行电路设计和刻蚀、薄膜制备、离子注入等核心工艺，最后进行封装测试。

          高可靠性：氮化镓芯片具有高可靠性，可提高电源转换效率、减少热量的产生、缩小充电器的体积，使用户在日常出行时更容易携带。

          低噪音：氮化镓芯片具有低噪音的特点，可提高音频放大器的性能。