顶点光电子商城2024年2月22日消息：近日，SK海力士计划于3月份开始大规模量产HBM3E。

          HBM3E是SK海力士旗下第五代高带宽内存产品，这款基于3D堆栈工艺的高性能DRAM产品旨在打破内存带宽及功耗瓶颈，以满足市场对高性能内存不断增长的需求。

          去年8月，SK海力士宣布成功开发出HBM3E，并开始向客户提供样品进行性能验证。经过半导体产品开发的九个阶段后，SK海力士于今年1月中旬正式结束了HBM3E的开发工作，并完成了英伟达历时半年的性能评估。

          因此，SK海力士计划在3月份开始大规模生产HBM3E，并计划在下个月向英伟达供应首批产品。

           据报道，这批HBM3E将用于NVIDIA下一代Blackwell系列AI芯片旗舰产品B100上。NVIDIA计划于2024年第二季度末或第三季度初推出这一系列产品。鉴于NVIDIA在AI GPU市场占据超过90%的市场份额，而SK海力士在全球HBM市场拥有超过一半的份额，并完全垄断了128GB DDR5这类大容量DRAM产品市场，双方的合作被市场普遍看好，预计将推动AI芯片市场的进一步发展。