顶点光电子商城2024年3月4日消息：近日，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。

          据报道，三星最近对其3D堆栈（3DS）内存进行了大规模的MR MUF工艺测试。与现有的热压非导电膜（TC NCF）相比，MUF工艺在吞吐量方面有所提高，但物理特性却出现了一定恶化。因此，经过测试和研究，三星得出结论，MUF技术不适用于高带宽内存（HBM）产品，但非常适合3DS RDIMM。3DS RDIMM主要采用硅通孔（TSV）技术制造，并主要用于服务器产品。

          MUF是一种环氧树脂模塑化合物，有助于紧密凝固和结合各种垂直堆叠的半导体。三星计划与子公司三星SDI合作开发适用于DRAM的MUF化合物，并已经从日本订购了相关设备，以推进到下一阶段，实现更先进的封装工艺，并提高生产效率。

          然而，目前三星仍将继续在HBM生产中使用TC NCF技术。同时，竞争对手美光也打算继续使用TC NCF技术。尽管MUF材料被认为在避免晶圆翘曲方面更具优势，但尚不清楚三星是否会最终选择引入MUF技术。