顶点光电子商城2024年6月18日消息：近日，ASML关于新计划的宣布主要涉及其在半导体制造领域的光刻技术进展，特别是在Hyper-NA EUV（极紫外光刻）技术方面。

         ASML已经在EUV（极紫外）光刻技术方面取得了显著进展，并成功向业界提供了High-NA EUV光刻机。现在，ASML正瞄准下一代Hyper-NA EUV技术，并计划在2030年左右提供这种新的光刻设备。

          Hyper-NA EUV技术相比现有的High-NA EUV技术，将提供更高的数值孔径（NA），达到0.75，而High-NA EUV的NA为0.55，标准EUV光刻机的NA则是0.33。这一技术上的进步意味着可以实现更高分辨率的图案化及更小的晶体管特征，进一步推动半导体制造工艺的发展。

            尽管Hyper-NA EUV技术具有巨大的潜力，但也面临着一些挑战，如光偏振和光刻胶的问题。ASML正在寻求解决方案，如在光刻设备中加入偏振片以应对光偏振的挑战，但这可能会带来能效降低和生产成本增加的问题。

            ASML计划将所有系统的生产率提高到每小时400到500片晶圆，以满足未来半导体制造工艺对高效率的需求。

          ASML的Hyper-NA EUV技术计划不仅将推动半导体制造工艺的进一步发展，还将增强ASML在半导体制造设备领域的领先地位。这一技术还将为DRAM等存储器件带来新的机遇，推动存储容量的进一步提升。

          总之，ASML计划在2030年推出Hyper-NA EUV技术，这将为半导体制造工艺带来革命性的进步。然而，这一技术也面临着一些挑战，并且其经济可行性仍需进一步观察。