顶点光电子商城2024年6月19日消息：近日，三星计划在2027年推出多项先进技术，这些技术包括1.4nm工艺、BSPDN背面供电以及硅光子技术。

         三星预计在2027年实现1.4nm（纳米）工艺技术的量产。这一技术节点代表着半导体制造工艺的进一步微缩，有助于提高芯片的性能和能效。准备工作“进展顺利，性能和良率目标均已如期实现”，表明三星在材料和结构创新方面取得了显著进展，正积极塑造未来低于1.4nm的工艺技术。

            BSPDN（背部供电网络）技术是一种创新的半导体技术，它将电源轨置于晶圆背面，以消除电源线和信号线之间的瓶颈。这种技术可以显著提高功率、性能和面积（PPA）效率，并降低电压降（IR降），从而提高高性能计算（HPC）设计的性能。三星计划在2027年将BSPDN技术应用于其1.4nm工艺中，这是该公司首次将BSPDN技术应用于如此先进的工艺节点。

            新增就业岗位1200个，对地方经济发展具有积极推动作用。该项目的建成能提升国产化功率器件竞争实力，降低对国外产品的依赖。

            三星还计划在2027年推出硅光子技术。硅光子技术是一种在芯片上利用光纤传输数据的技术，相比传统线缆/电路可以大幅提升I/O数据传输速度。这是三星首次宣布采用硅光子技术，该技术的引入将进一步增强三星在半导体领域的竞争力。

            此外，三星还计划在2027年实现第四代2nm芯片的量产，并在2025年量产升级版4nm硅芯片。这些计划展示了三星在半导体工艺技术方面的持续投入和领先地位。

           综上所述，三星在2027年推出的1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术将进一步提升其半导体产品的性能、能效和数据传输速度，巩固其在全球半导体市场的领先地位。