顶点光电子商城2024年8月29日消息：近日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。

          采用第六代10纳米级（1c）工艺，展现了SK海力士在超微细化存储工艺技术方面的领先地位。通过优化EUV（极紫外光刻）适用工艺并开发新材料，确保了成本竞争力和生产率的提升（与前一代1b工艺相比，生产率提高了30%以上）。运行速度达到8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代产品相比速度提高了11%。能效也提高了9%以上，有助于降低数据中心等应用场景的能耗。

           在应用前景方面，主要面向高性能数据中心市场，随着AI时代的到来和数据量的激增，该产品将满足市场对更高速度、更高能效存储解决方案的需求。

           SK海力士计划年内完成该产品的量产准备，并从明年开始供应市场，这将进一步巩固其在半导体存储器市场的领先地位。

           此次成功开发不仅展示了SK海力士在DRAM制造工艺上的持续创新能力，也为整个行业树立了新的技术标杆。通过提高生产率和能效，SK海力士有望为客户提供更具竞争力的存储解决方案，促进数据中心等市场的可持续发展。

           SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM，是半导体存储技术领域的一次重要里程碑。该产品在制造工艺、性能提升和应用前景等方面均展现出显著优势，将有力推动数据中心等市场的发展，并为SK海力士在半导体存储器市场的持续领先奠定坚实基础。