顶点光电子商城2024年9月23日消息：近日，三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产，这一事件标志着三星在NAND闪存技术领域的又一次重要突破。

           三星首款1太比特(Tb)四层单元(QLC)第九代V-NAND已正式开始量产，标志着其在高容量存储技术上的领先地位。三星引以为傲的通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数，提升了存储密度和性能。通过调整控制存储单元的字线(WL)间距，确保存储单元特性的一致性和最佳效果，提升了数据保存性能和产品可靠性。能够预测并控制存储单元的状态变化，减少不必要的操作，从而翻倍写入性能并提升数据输入/输出速度60%。降低了驱动NAND存储单元所需的电压，减少功耗，数据读取功耗分别下降了约30%和50%。

           三星通过QLC和TLC第九代V-NAND的量产，进一步巩固了其在高容量、高性能NAND闪存市场中的领先地位。三星计划将QLC第九代V-NAND的应用范围从品牌消费类产品扩展到移动通用闪存(UFS)、个人电脑和服务器SSD等多个领域，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

         随着人工智能和云计算等技术的不断发展，对存储解决方案的需求将持续增长。三星QLC第九代V-NAND的量产不仅满足了当前市场的需求，更为未来技术的发展奠定了坚实的基础。未来，三星有望继续在高容量、高性能存储领域保持领先地位，并推动相关技术的不断创新和发展。

          综上所述，三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND的量产是其在NAND闪存技术领域的又一次重要里程碑，标志着三星在高容量、高性能存储解决方案方面的持续创新和领先地位。