顶点光电子商城2025年4月25日消息：近日，台积电宣布其1.4纳米级A14工艺将于2028年量产，这一举措标志着芯片制造技术向更小制程节点迈进的重要里程碑，同时体现了台积电在先进制程领域的持续领导力与战略布局。

        A14工艺作为台积电的下一代全节点技术，基于第二代全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管架构，相比当前最先进的2纳米（N2）工艺，其性能、能效和晶体管密度将实现显著提升。具体而言，A14工艺在相同功耗下可实现15%的速度提升，或在相同速度下降低30%的功耗，逻辑密度增加超过20%。这一技术进步将直接推动人工智能（AI）、高性能计算（HPC）、智能手机等领域的算力升级和能效优化，满足未来数据中心、边缘计算和移动设备对更高性能和更低功耗的需求。

         台积电计划在2028年实现A14工艺的量产，这一时间节点与全球半导体产业的长期规划高度契合。考虑到2纳米工艺将于2024年第四季度量产，3纳米工艺已进入满负荷生产阶段，A14工艺的推出将进一步巩固台积电在先进制程领域的领先地位。值得注意的是，A14工艺的量产初期可能不具备背面供电（Backside Power Delivery）功能，但台积电已计划在2029年推出配备SPR（Super Power Rail）背面供电的A14版本，以满足高性能客户端和数据中心应用对供电效率的更高要求。

        A14工艺的量产将依赖台积电在极紫外光刻（EUV）技术领域的持续创新。尽管初期量产可能仍采用ASML第三代标准型EUV设备NXE:3800E，但台积电已明确表示将在2028年后的改良升级版A14P中引入High-NA EUV光刻机（如EXE:5000和EXE:5200），以实现更精细的制程控制和更高的良率。此外，台积电还将通过NanoFlex Pro架构提供更灵活的晶体管配置选项，允许芯片设计人员根据特定应用或工作负载优化功率、性能和面积（PPA），进一步提升设计效率。

         A14工艺的量产将显著提升台积电在半导体代工市场的竞争力，进一步拉大与英特尔、三星等竞争对手的技术差距。对于苹果、AMD、英伟达等台积电的主要客户而言，A14工艺的推出将为其提供更强大的算力支持，推动AI芯片、GPU、CPU等产品的性能升级。同时，A14工艺的量产也将加速半导体产业链的协同创新，推动材料、设备、EDA工具等相关领域的技术进步。

          台积电在A14工艺上的布局反映了其长期战略：通过持续的技术创新和制程节点迭代，满足未来十年甚至更长时间内对高性能、低功耗芯片的需求。随着AI、5G、物联网等技术的快速发展，全球对先进制程芯片的需求将持续增长。A14工艺的量产不仅将巩固台积电在半导体代工领域的领导地位，还将为全球科技产业的创新提供关键支撑。