顶点光电子商城2025年5月22日消息：近日，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。

         四款器件均采用东芝第三代SiC MOSFET技术，核心参数方面，额定电压650V，适用于中高压功率转换场景。封装形式DFN8×8，体积较传统TO-247封装缩小90%以上，支持自动化贴片生产，提升设备功率密度。导通电阻（RDS(ON)）：TW031V65C：31mΩ（典型值）；TW054V65C：54mΩ；TW092V65C：92mΩ；TW123V65C：123mΩ。导通电阻与栅漏电荷（Qgd）的乘积显著降低，优化了导通损耗与开关损耗的平衡。栅极驱动优化：支持开尔文连接（Kelvin Connection），减少封装内部源极电感，提升高速开关性能。二极管特性：内置SiC肖特基势垒二极管（SBD），正向电压（VDSF）低至-1.35V（典型值），抑制导通电阻波动，提升可靠性。

         技术优势方面，第三代SiC MOSFET技术通过优化漂移区电阻与沟道电阻比例，实现漏源导通电阻（RDS(ON)）的温度稳定性。与第二代产品相比，单位面积导通电阻（RDS(ON)A）降低约43%，导通损耗与开关损耗的乘积（RDS(ON)×Qgd）降低约80%，开关损耗减少约20%。

         高速开关性能，DFN8×8封装的开尔文连接设计，减少封装内部源极线电感影响，提升开关速度。以TW054V65C为例，开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%，显著降低设备功耗。高温稳定性，SiC材料的高击穿电场和高热导率，使器件可在高温环境下稳定工作，适用于高功率密度应用。

         应用场景方面，四款器件适用于多种工业与能源领域。开关电源：服务器、数据中心、通信设备等，提升电源转换效率。光伏逆变器：优化光伏发电系统的功率调节效率。电动汽车充电站：支持快速充电设备的高效运行。不间断电源（UPS）：提升电力系统的可靠性与能效。

          市场意义方面，推动设备小型化与自动化，DFN8×8封装支持表面贴装技术（SMT），实现设备小型化与自动化组装，降低生产成本。助力碳中和目标，通过提升设备效率与功率密度，减少能源损耗，支持绿色能源与高效工业设备的发展。扩展SiC功率器件产品线，东芝持续丰富SiC功率器件阵容，强化在新能源、电动汽车等领域的市场竞争力。

          东芝此次推出的四款650V SiC MOSFET，凭借其低导通电阻、高速开关性能与高温稳定性，为中高压功率转换应用提供了高效解决方案。DFN8×8封装的创新设计，进一步推动了设备的小型化与自动化生产，满足了市场对高功率密度、低损耗功率器件的需求。未来，随着SiC技术的持续演进，东芝有望在新能源、工业设备等领域发挥更大作用，助力全球能源转型与碳中和目标的实现。