顶点光电子商城2025年6月3日消息：近日，软银集团与英特尔公司宣布达成战略合作，共同开发具有划时代意义的AI专用内存芯片。

         核心目标为突破当前AI计算中的能耗瓶颈，将芯片功耗降低50%，为全球AI基础设施建设带来革命性变化。双方将研发一种创新的堆叠式DRAM芯片，采用全新的布线架构，完全不同于现有高带宽内存（HBM）技术方案。

          技术优势方面，大幅提升芯片的能效比，降低电力消耗。存储容量增加，实现至少大一倍的存储容量。成本降低，通过改进芯片间的互连技术（如采用英特尔的嵌入式多芯片互连桥接技术EMIB），大幅降低成本。

         双方联合成立了专门公司Saimemory，负责推进这一重大项目。Saimemory将整合英特尔的核心芯片技术与东京大学等日本顶尖科研机构的专利成果，形成独特的技术优势。芯片设计与专利管理由Saimemory负责。芯片制造委托专业代工厂完成，这种分工协作模式有望最大化研发效率。

         研发团队将在两年内完成芯片原型设计，之后启动量产评估程序。目标是在本世纪二十年代末（即2030年前）实现商业化应用。项目总投资额预计达100亿日元（约合5亿元人民币），其中软银作为领投方已承诺注资30亿日元（约合1.5亿元人民币）。

         随着AI技术在企业管理、智能制造等高端领域的深度应用，市场对高性能、低功耗计算硬件的需求正呈现指数级增长。软银集团明确表示，这款突破性的内存芯片将优先应用于其自建的AI训练数据中心，满足日益增长的高性能计算需求。相比现有HBM技术，新型AI内存芯片在功耗、成本和存储容量方面具有显著优势，有望在数据中心市场占据一席之地。

         犀里光电完成首轮数千万级融资，标志着光子芯片领域迎来新的发展机遇。基于薄膜铌酸锂平台的光引擎系统集成芯片技术，犀里光电在数据中心、通信系统和人工智能等领域具有广阔的应用前景。随着技术的不断成熟和资本的持续投入，光子芯片有望成为下一代计算体系的核心方向，推动信息技术的革命性进步。