顶点光电子商城2025年6月5日消息：近日，美光推出了第六代10nm级LPDDR5x DRAM内存，是移动存储技术的一项重大突破，其10.7Gbps的传输速率、能效优化及超薄封装设计，将显著提升旗舰智能手机的AI性能与硬件设计灵活性，同时为行业树立了新的技术标杆。

         美光第六代10nm级LPDDR5x DRAM内存实现了10.7Gbps的传输速率，这是当前市场上领先的传输速度，能够满足旗舰智能手机对高速数据传输的需求。相比上一代产品，该内存功耗降低了最高20%，这有助于延长智能手机的电池续航时间，提升用户体验。内存模块厚度仅为0.61毫米，比上一代产品薄14%，比竞品薄6%，为折叠屏等超薄智能手机设计提供了更大的空间。该内存采用第六代10nm级制程（1γ），这是美光首款采用极紫外光刻（EUV）技术的DRAM工艺，标志着美光在先进制程领域的关键突破。

          美光第六代10nm级LPDDR5x DRAM内存专为提升旗舰智能手机的AI性能而设计，能够满足AI应用对高速、低功耗内存的需求。该产品的推出将推动智能手机行业在硬件设计、性能优化等方面的创新，为消费者带来更加出色的使用体验。美光通过推出这一领先产品，进一步巩固了其在移动存储市场的领先地位，增强了与竞争对手的差异化竞争力。

        未来展望，美光计划推出从8GB到32GB的全系列容量产品，以满足不同旗舰智能手机的需求。随着技术的不断进步，美光有望在未来推出更高速度、更低功耗的内存产品，进一步推动智能手机行业的发展。美光第六代10nm级LPDDR5x DRAM内存不仅适用于智能手机，还有望拓展到平板电脑、可穿戴设备等其他移动设备领域。