顶点光电子商城2025年8月12日消息：近日，SK海力士为推动DDR5及高带宽存储（HBM）产品性能升级，并在新一代存储技术中占据领先地位，计划在量产1c DRAM上应用六层极紫外光（EUV）工艺。

           EUV技术采用13.5纳米波长，可在电路中实现更精细的结构刻画，减少多重图案化步骤。传统DRAM制造多采用EUV与深紫外（DUV）工艺混合，而SK海力士此次在1c DRAM全面采用六层EUV工艺，不仅可以简化生产流程，还有助于提升产品良品率和利润率。

         通过该工艺，SK海力士能够生产更高密度、更高速、更节能的DDR5及高容量HBM芯片，显著提升产能和良品率。尤其在HBM4等未来产品中，1c DRAM的应用有望带来性能与容量的双重突破，为人工智能、高性能计算等领域提供更强支撑。

           在第六代DRAM的研发中，美光、三星电子和SK海力士呈现出截然不同的技术路线。美光采取“有限EUV”策略，三星电子已在D1c制程中引入超过五层EUV工艺。SK海力士此次在1c DRAM上应用六层EUV工艺，刷新了行业标准，在新一轮技术竞赛中，此举不仅巩固了其在存储市场的领先地位，也为其与三星等竞争对手的较量增添了新优势。

            目前1c DRAM尚未广泛应用于主流消费级内存，但SK海力士正积极探索其在更大容量DDR5及HBM产品中的可能性。未来，随着1d和0a DRAM等下一代产品的发展，SK海力士计划将EUV融入到这些技术中，最终实现高数值孔径（High-NA）EUV技术的集成。