顶点光电子商城2025年8月25日消息：近日，SK海力士宣布，已开始量产全球首款321层2Tb QLC NAND闪存，并计划于2026年上半年正式进入AI数据中心市场。

          该闪存采用321层堆叠技术，单芯片容量达2Tb（太比特），是现有QLC NAND闪存容量的两倍。通过堆叠32个NAND芯片的独有封装技术（32DP），实现比现有产品高一倍的集成度，为AI服务器提供超高容量eSSD解决方案。较前代产品翻倍，满足AI数据中心对高速数据吞吐的需求。写入性能提升最高56%，缓解了大容量NAND闪存因管理复杂导致的性能下降问题。读取性能提升18%，通过扩展芯片内独立操作单元（平面）数量从4个至6个，增强了并行处理能力。能效优化数据写入功耗效率提高23%以上，在低功耗要求严苛的AI数据中心场景中具备更强竞争力。市场定位瞄准AI与数据中心需求

       应用场景方面，PC SSD：计划首先应用于消费级固态硬盘，提升终端设备存储密度。企业级eSSD：逐步扩展至数据中心，满足AI训练与推理对海量数据存储的需求。智能手机UFS：未来可能延伸至移动设备，推动嵌入式存储容量升级。

          SK海力士NAND开发担当郑羽杓副社长表示，该产品量产将显著增强高容量存储产品组合，同时确保成本竞争力，助力公司向“全方位面向AI的存储器供应商”转型。