顶点光电子商城2025年9月5日消息：近日，英诺赛科第三代700V GaN增强型氮化镓功率器件系列已全面上市。该系列器件通过工艺优化与结构创新，实现了核心性能的显著提升，为电源系统设计树立了新标杆。

          全新Gen3 700V系列芯片面积缩减30%,通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计。开关性能提升20-30%，电容降低20-30%：有效降低开关损耗与驱动损耗，显著提升系统整体效率。在同等应用条件下，芯片壳温可降低3-6°C，大幅增强系统长期运行可靠性。提供多种标准封装选项，满足多元化应用场景需求：

          DFN5x6极致紧凑，适用于对空间要求极高的应用。DFN8x8平衡性能与尺寸，适用于大多数通用场景。TO252通用性强，散热佳，采用该封装的旗舰型号INN700TK100E，典型导通电阻（Ron）低至74mΩ，突破了传统TO252封装器件的性能极限，可高效支持高达500W的应用功率等级。SOT223经典封装，适用于特定应用场景。

           应用领域广泛,得益于更低的导通电阻（Ron）和开关损耗，Gen3 700V系列适用于以下领域：PD快充/适配器：尤其高功率应用，可显著提升效率并缩小尺寸。LED照明驱动电源：提高能效，降低发热，延长使用寿命。智能家电电源：提升家电的能效表现，降低待机功耗。数据中心服务器电源：满足高密度、高效率的电源需求，降低数据中心运营成本。工业开关电源（SMPS）：提高工业设备的能效和可靠性，减少维护成本。

          英诺赛科通过第三代700V GaN系列，实现了核心参数的实质性优化，为电源设计工程师提供了创新的高性能解决方案。该系列的上市，将推动电源系统向更高功率密度、更高系统效率的方向发展，满足AI算力、新能源汽车、机器人等未来产业对高效电源的需求。

           英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓（GaN-on-Si）的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科的产品涵盖从低压到高压（15V-1200V）的氮化镓功率器件，可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。