顶点光电子商城2025年9月30日消息：Ushio Inc.（总部：日本东京，社长：朝日崇文，以下简称“Ushio”）宣布成功开发出一款新型干涉光刻机，实现了干涉条纹间距精度0.01nm，并具备相位移结构的形成功能。该产品计划于2027年春季开始销售。

           随着生成式人工智能（AI）竞争加剧，数据中心的电力消耗成为课题，光电融合※技术备受期待。用于光电融合的激光光源为带有衍射光栅的DFB-LD（分布反馈型激光器），需求急剧扩大。然而，用于形成衍射光栅的电子束（EB）刻写设备生产效率低，供应不足。干涉光刻技术被广泛认为有可能解决EB生产效率低的问题，但由于以下三大课题，尚未实现量产应用。

           ① 无法获得稳定的曝光质量

           ② 间距精度低

           ③ 无法形成相位移结构

           此次，Ushio提出了能够解决上述三大课题的新型干涉光刻机。

           ① 采用DPSS激光器和KrF光刻胶，实现优异的曝光稳定性

           传统干涉光刻机采用气体激光器作为光源，且使用线形成能力强的光刻胶，导致曝光稳定性较低。Ushio的干涉光刻机采用266nm DPSS（半导体泵浦固态）激光器作为光源，化学放大型KrF光刻胶作为光刻材料，在保持曝光性能的同时，实现了优异的曝光稳定性。（图1）             图1 实验数据

         ② 通过独特的补偿光学系统实现0.01nm的间距精度

         Ushio的干涉光刻机能够以0.01nm的精度直接测量曝光的干涉条纹，并具备补偿光学系统以校正与目标间距的偏差。该功能使其能够达到DFB激光器衍射光栅所需的高间距精度。（图2）

        图2 适用于DFB激光器的示例（导波路图案化的SEM图像）

         ③ 结合数字全息元件实现相位移结构的形成

         相位移层通过在衍射光栅部分形成不连续形状，可以改善良率。Ushio的干涉光刻机利用高度可控的数字全息元件，实现了与传统相位移层等效功能的CPM（波纹间距调制）结构。

         在设备销售开始前，广泛接受打样测试。该装置不仅适用于半导体激光器，也在增强现实（AR）所需的光学部件制造方面具有巨大应用潜力。

           Ushio将继续通过“光”实现工业流程领域的技术革新。此外，本技术内容计划于9月8日至12日在冈山大学举办的电子信息通信学会学会大会上发表。

          ※光电融合：将处理电信号的电子电路与处理光信号的光电路整合，通过将数据处理和通信从电信号转为光信号，实现高速化、低功耗化和大容量化的技术。

         3D-CAD图

          设备概要规格