顶点光电子商城2026年3月11日消息：继12英寸双突破后，天成半导体依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30㎜。

         天成半导体在2025年已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，且12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。

           12英寸碳化硅技术将进一步提升其在新能源汽车等终端市场的竞争力，以满足下游市场对碳化硅“降本增效”的迫切需求。同时，AR眼镜（光波导）和AI芯片先进封装（中介层）等领域对12英寸碳化硅技术的需求也日益凸显。