顶点光电子商城2026年6月10日消息：2026年6月10日，安森美（onsemi）正式推出GaNEXUS™氮化镓（GaN）功率器件产品组合，首批样品已面向客户开放。该系列覆盖40V至650V全电压范围，包含GaNEXUS FET及集成保护功能的GaNEXUS Smart 650V GaN FET两大产品线。这不是一次简单的产品扩充，而是安森美在硅、EliteSiC之外，补齐了氮化镓这块关键拼图——至此，其智能功率器件版图已覆盖从低压到超高压的完整功率传输架构，为客户提供了前所未有的设计灵活性。

          GaNEXUS的核心竞争力，在于用氮化镓的材料天赋直面当下最棘手的工程难题。与传统硅基方案相比，GaNEXUS实现了更快开关速度、更低开关损耗、更高功率密度与更优热性能。在AI服务器48V中间母线转换器、电池备用单元及电机驱动等中低压系统中，磁性元件尺寸可缩小30%–60%，功率密度提升约1.5–2倍，能效提升0.5%–2%；在高压DC-DC转换、PFC及LLC功率级中，磁性元件尺寸最多缩减约60%，能效提升0.5%–1%。要知道，预计到2030年，仅AI数据中心就将消耗美国高达9%的电力，电力和冷却成本占运营总成本的40%——GaNEXUS正是为这场能效突围战而生。

           更值得关注的是，GaNEXUS并非孤立器件，而是与安森美Treo平台（集成感知、控制、保护及电源管理）深度协同，构成完整的系统级电源解决方案。结合硅、EliteSiC与GaNEXUS三大技术路线，工程师可在整个电力传输链上自由调配，优化性能、热管理、系统尺寸与总成本。GaNEXUS Smart器件更是将保护功能集成于单颗芯片，大幅简化功率级设计，加速认证速度，提升系统可靠性。器件采用增强散热封装，支持TOLL底部散热、TOLT顶部散热及3.3mm×3.3mm、5mm×6mm双面散热等多种规格，并支持双源供货，为供应链安全再加一道锁。

           安森美氮化镓事业部副总裁Antoine Jalabert直言："GaNEXUS正在推动电源系统设计迈向全新架构。"从2025年底与格罗方德联手开发650V硅基GaN工艺，到如今GaNEXUS全线样品落地，安森美用不到半年时间兑现了承诺。当AI基础设施、电气化、工业自动化对更高能效和更紧凑电源的需求已成不可逆之势，GaNEXUS不只是一款产品，更是安森美押注下一个十年功率半导体竞争格局的一张王牌。