顶点光电子商城2026年11月11日消息：据韩国ZDNet 11月10日援引业内知情人士消息报道，三星电子晶圆代工业务规划在2027年初完成新一代先进封装技术3D Cube-H的开发，同步推出配套首套设计工具包。工具包落地之后，三星将启动面向潜在客户的技术评估流程，开展方案验证对接。3D Cube-H属于无凸点铜混合键合路线，是三星在现有3D Cube-T之外，面向AI高性能计算推出的下一代3D垂直堆叠方案。

            具体来看，3D Cube系列是三星的Z轴垂直堆叠封装技术，依靠TSV硅通孔实现多颗芯片纵向集成。其中已经对外披露的3D Cube-T采用热压键合方案，依靠微凸点完成芯片互连，已经在HBM、图像传感器等场景落地验证；而全新的3D Cube-H切换为混合键合工艺，不再依赖微凸点结构，通过介质层贴合、铜焊盘直接熔接实现芯片互连，目标互连间距约6微米，对比3D Cube-T热压键合最低约25微米的互连间距，互连密度得到显著提升。

 更细的互连间距，可以缩短芯片之间的信号传输路径，降低信号延迟与传输功耗，同时减少凸点结构带来的热阻，单位面积内可以集成更多互连通道。该方案主要面向高性能AI处理器、GPU堆叠、逻辑芯片与HBM垂直集成等场景，适配AI算力芯片对高带宽、低时延的需求。在单颗芯片工艺微缩难度持续抬升的背景下，依靠先进封装做异质集成，已经成为AI芯片性能提升的重要路径。

             三星晶圆代工持续加码先进封装赛道，目前已经形成2.5D、2.3D、3D多条技术路线，包含I-Cube、2.3D Cube-R以及两代3D Cube堆叠方案。报道指出，三星推出3D Cube-H，意在补齐混合键合技术能力，强化和同业在先进封装层面的竞争筹码，以此争取大型科技厂商的AI芯片代工订单。