顶点光电子商城2022年5月10日消息：Tower半导体是一家独立的专门的圆晶铸造厂，主要服务于半导体制造商，公司主要在第三方设计的基础上为客户制造半导体。高塔半导体有限公司成立于1993年，在收购了位于以色列米格塔达乐埃美柯的国家半导体的150毫米规格晶片制造厂后成立，公司作为独立的圆晶铸造厂进行商业运作。

        今年上半年，高塔半导体和Next Orbit风投基金组成的半导体联盟ISMC，宣布投资30亿美元建设该国第一座最大的半导体制造工厂，逻辑制程65nm。

         扩展其电源管理平台，发布其最先进的第二代65nm BCD，将操作范围扩大到24V，并将RDSON降低20%。该公司还在其180nm BCD平台上添加了深沟槽隔离，可将电压高达125V的芯片尺寸降低40%。

        随着客户需求的持续增长，Tower在各大洲的工厂都在全力以赴支持中国客户的需求。新版本满足了对更高电压和更高功率IC不断增长的需求，进一步增强了Tower在功率器件方面的领先市场地位。Tower在SiGe和RF SOI市场已占有想当的份额，同时，公司最新推出的65nm RF SOI平台进入大规模量产阶段，进一步巩固在RFSOI市场的领先地位。

        Tower的65纳米BCD平台以其在功率性能、成本和集成竞争力方面的领先优势而被称为一流的sub-90纳米BCD技术。

        第二代65nm BCD受益于功率性能和芯片尺寸减少多达20%，这是由于用于高达16V的器件的LDMOS RDSON减少以及电压扩展到24V运行。

        功率半导体非常依赖成本驱动，集成了存储模块的功率集成电路制程在90nm左右，工艺节点取决于功率IC和存储部门的集成情况。

        这些进步满足了计算和消费市场对单片大功率转换器的需求，包括用于CPU和GPU的高功率电压调节器以及充电器、大功率电机驱动器和功率转换器等应用。

        180nm BCD深沟槽隔离方案在单个IC内提供了更好的抗噪性，在升高的电压下具有灵活性，可以在多个隔离方案之间进行选择，并将芯片尺寸减少多达40%。