扩大SiC衬底尺寸既能增加产能供给，又能进一步降低SiC器件的平均成本，因此，当下，全球正积极逐鹿8英寸市场。

        近日，厦门大学成功实现了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。

        以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。

         SiC广泛应用于电动汽车主逆变器（Inverter）、车载充电单元（OBC）及DC/DC转换器等应用。

        厦门大学长期致力于III族氮化物、碳化硅等宽禁带半导体的研究，多年来不断促进我国宽禁带半导体的发展，为产业培养了大批的创新人才。

         本次突破，标志着我国已掌握8英寸碳化硅外延生长的相关技术。该技术的实现，是厦门大学与瀚天天成电子科技(厦门)有限公司等单位产学研合作的成果，将为我国碳化硅产业的发展注入新的动力，同时推动新能源等相关领域的发展。