近日，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，SK 海力士成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品，目前正在向客户提供样品，并进行性能评估。

          HBM 全称 high bandwidth memory，新型 CPU / GPU 内存芯片，将多个 DDR 芯片堆叠在一起后和 GPU 封装在一起，实现大容量，高位宽的 DDR 组合阵列。

          HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次开发出来的一种内存，由于它在实现运行在高性能计算（HPC）系统中的生成型 AI 中起着至关重要的作用，因此受到了内存芯片行业的广泛关注。最新的 HBM3 标准尤其被认为是快速处理大量数据的理想产品，因此其被全球主要科技公司采用的情况越来越多。

          近年来，AI 服务器出货动能强劲带动 HBM 需求提升，SK 海力士以全球顶级后端工艺技术力为基础，接连开发出了超高速、高容量的HBM DRAM产品。将在今年上半年内完成新产品的量产准备，以巩固人工智能时代尖端DRAM市场的主导权。