近日，英诺赛科表示业务同比2021年增长了300%，8英寸硅基GaN器件出货量已突破1亿颗。

           值得注意的是，2023年出货量增势迅猛，Q1就已经突破了5000万颗（累计超1.5亿颗），销售额达1.5亿，是去年同期的4倍。这意味着，无论从出货量还是销售收入来看，今年英诺赛科不仅延续了2022年持续增长的态势，还实现了更为强劲的增长。

          GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors)，这种高电子迁移率的晶体管用于许多电子设备中，例如全控型电力开关，高频的放大器或振荡器。

           另外，在电动汽车应用领域，英诺赛科珠海工厂已通过汽车认证，预计将在2024年生产用于汽车应用的8英寸硅基GaN器件。目前，珠海工厂GaN晶圆月产能为4000片，到2025年，珠海和苏州两大基地的月产能预计可达70000片左右。

           接下来，随着GaN技术逐步打开电动汽车、光伏储能、智能电网、工业电源等领域的应用空间，英诺赛科将在产能规模、客户群不断扩大的基础上，进一步提升产品销量和市场占有率。