顶点光电子商城6月26日消息：近日，科友半导体官微宣布其突破了8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。

          SiC是指碳化硅，它是一种新型的半导体材料，在功率器件等领域有着广泛的应用。8英寸SiC是指直径为8英寸（200mm）的SiC晶圆，是生产SiC功率器件的主要材料之一。

          国内的8英寸SiC晶圆生产线受到了不少关注，因为它可以提高国内碳化硅材料制造的自主性。2018年，国内首条8英寸SiC晶圆生产线和晶圆芯片制造线在中国建成投产，生产的 SiC晶圆直径达到了8英寸，可以制造的功率器件范围更广，包括高电压、大电流的功率器件和更高集成度的逻辑芯片。这是国内首个具有完整自主知识产权的 SiC半导体材料生产线。

          尺寸、厚度方面，科友半导体8英寸SiC实现了高厚度、低应力6/8英寸碳化硅晶体稳定制备，在6英寸晶体厚度超过40mm的基础上，8英寸晶体直径超过210mm，厚度目前稳定在15mm以上。

          缺陷密度方面，科友半导体6英寸晶体位错缺陷密度＜3000个cm-2，8英寸晶体微管密度＜0.1个cm-2，位错缺陷密度＜5000个cm-2，晶体质量处于行业领先水平。

          生长速率方面，科友半导体基于高热场稳定性、高工艺稳定性、和高装备稳定性，突破了8英寸SiC晶体快速生长工艺技术，长晶速率已达到170μm/h以上，长晶周期约为4-5天，单台长晶炉设备每月运转约6-7炉次。

          产品良率方面，科友半导体基于6英寸晶体研发生产经验，开发出适用于8英寸SiC稳定生长的工艺技术，大幅提升了长晶的稳定性、重现性。

           科友半导体成立于2018年5月，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制作、器件设计、科研成果转化的国家级高新技术企业，研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域，已形成自主知识产权，实现先进技术自主可控。