顶点光电子商城8月16日消息：近日，芯塔电子正式发布自主研发的1700V/5Ω SiC MOSFET产品。

           该产品针对高端汽车级应用而开发，击穿电压达到2300V，18V驱动下Rdson的典型值5Ω，15V驱动下典型值为7Ω。产品在开发过程中，研发团队通过改进MOS可靠性，提高了器件的阈值电压，并做了很多优化设计和余量设计，使之更能胜任新能源汽车领域的应用需求。同时，产品具有更小的芯片尺寸，可以有效帮助客户减少成本。

           芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET的高耐压简化了应用电路，提升了应用方案的可靠性，大幅降低了系统成本。同时，SiC MOSFET极小漏电流让客户大幅度提升应用性能。得益于芯塔电子国产化供应链保障，产品的成本及供货更具优势和竞争力，目前已获多家客户订单。

            芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能，使之响应速度更快、体积缩小、寿命延长等，对提升车辆电源系统整体效能、可靠性及安全性有着重要意义。同时，该产品也为公司光耦继电器合作商迈向800V高端新能源汽车市场提供强大赋能和支持。