顶点光电子商城8月16日消息：近日，英诺赛科宣布氮化镓芯片出货量突破3亿颗。

           其氮化镓芯片在消费类（快充、手机、LED），汽车激光雷达，数据中心，新能源与储能领域的多个应用中大批量交付，帮助客户实现小体积、高能效、低损耗的产品设计。

           氮化镓芯片（Gallium Nitride Chips）是一类基于氮化镓（GaN）半导体材料制造的集成电路芯片。氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电子特性，使得氮化镓芯片在高频、高功率和高温应用中具有出色的性能。

          氮化镓芯片特点有：高电子迁移率： 氮化镓具有比硅（Si）和碳化硅（SiC）更高的电子迁移率，可以实现更高的电流密度和更低的导通电阻，从而降低功率损耗。高频性能： 氮化镓芯片具有出色的高频特性，适用于射频（RF）应用和微波器件。高功率密度： 氮化镓芯片可以在高功率密度条件下工作，适用于高功率应用，如功率放大器和电源。高温工作： 氮化镓芯片可以在高温环境下工作，具有优异的热稳定性和可靠性。快速开关速度： 氮化镓芯片的开关速度较快，有助于降低开关损耗。

         据了解，英诺赛科已基本形成全产品的生态链，产品覆盖15V-700V，分为晶圆、分立器件、合封芯片三大类。截至8月，英诺赛科成功量产高压GaN芯片（650V-700V）54 款，中低压GaN芯片（30V-150V）20 款。