顶点光电子商城2024年4月30日消息：近日，Transphorm与伟诠电子宣布推出两款新型系统级封装氮化镓（GaN）器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰GaN SiP一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN平台的系统级封装GaN产品系列。

          Transphorm与伟诠电子合作推出了多款新型系统级封装氮化镓（GaN）器件（SiP）。这些新型SiP器件，包括WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。

          这些新推出的SiP器件与上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，与USB PD或可编程电源适配器控制器配对即可提供整体适配器解决方案。同时，它们还提供了更多创新功能，如UHV谷底跟踪充电模式、自适应OCP补偿和自适应绿色模式控制等，使得客户能够使用更少的器件、最精简的设计方案，更快地设计出高质量的电源产品。

          Transphorm与伟诠电子的合作始于2023年，他们已经联合推出了多款GaN封装器件。伟诠电子是适配器USB-C PD控制器集成电路的全球领导者，而Transphorm是全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商。他们的合作旨在通过整合各自的技术优势，为客户提供高性能、高效率的电源解决方案。

          通过合作，Transphorm和伟诠电子共同推出了首个基于Transphorm SuperGaN平台的系统级封装GaN产品系列。这一产品系列不仅支持多功率等级，而且能够为客户提供更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。这些优势使得Transphorm和伟诠电子的GaN器件在电动车、数据中心、AI及再生能源等成长性市场中具有广泛的应用前景。