顶点光电子商城2024年4月30日消息：近日，南京大学网站发布《成果推介：大尺寸碳化硅激光切片设备与技术》。该研究成果显示，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。

          大尺寸碳化硅激光切片设备采用激光产生、聚焦、碳化硅吸收激光和瞬时蒸发或气化的原理，实现碳化硅晶片的精准切割。相较于传统的多线切割技术，激光切片技术具有加工周期短、产率高的优势。以单个20毫米SiC晶锭为例，采用线锯可生产30片350um的晶圆，而使用激光切片技术可生产50多片晶圆，显著提高了产率。

          南京大学研发的大尺寸碳化硅激光切片设备已经实现了4-6英寸半绝缘碳化硅晶圆的切割减薄、6英寸导电型碳化硅晶锭的切片，并且正在进行8英寸晶锭切片验证。在切割时间方面，半绝缘/导电型6英寸碳化硅晶锭单片切割时间≤15min，单台年产晶片>30000片。此外，该设备在切割过程中的损耗也较低，半绝缘碳化硅晶锭单片损耗≤30um，导电型单片损耗≤60um，产片率提升>50%。

          大尺寸碳化硅激光切片设备是未来8英寸碳化硅晶锭切片的核心设备。目前，大尺寸碳化硅晶锭激光切片设备主要依赖进口，价格昂贵且对中国禁运。南京大学研发的这项技术将打破国外技术垄断，满足国内市场对于大尺寸碳化硅激光切片设备的需求，有助于推动我国第三代半导体材料产业的发展。

          总之，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术是我国在半导体材料加工领域取得的重要突破，将为我国半导体产业的发展注入新的动力。