顶点光电子商城2024年5月15日消息：近日，SK海力士宣布，将从2026年开始量产第七代高带宽存储器HBM4E，这比此前的计划提前一年。

           HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）是一种专为高性能计算、图形处理和人工智能等领域设计的存储器。HBM的高带宽和低延迟特性使其在处理大量数据密集型任务时具有显著优势。

            关于HBM4E的具体特性，有报道称其堆叠层数可能会增加到16~20层，这将进一步提升其存储容量和带宽。此外，SK海力士还暗示可能从HBM4开始采用“混合键合”技术以实现更高的堆叠层数。这种技术通过消除芯片间的凸块来增加DRAM的堆叠数量，从而提高存储器的整体性能。

             对于为何选择提前量产HBM4E，SK海力士的决策显然与当前半导体市场的需求趋势密切相关。随着人工智能、大数据和云计算等领域的快速发展，对于高性能存储器的需求也在不断增长。SK海力士加速推进HBM4E的开发和量产，将有助于其抢占这一市场的先机。

            此外，SK海力士还在与台积电等合作伙伴密切合作，共同开发下一代HBM产品并加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术。这将有助于提升整个系统的性能和效率，并推动整个半导体行业的发展。

           总之，SK海力士提前一年量产HBM4E的决定反映了其对市场趋势的敏锐洞察和积极应对。随着新技术的不断推出和市场的不断扩大，我们有理由相信SK海力士将继续保持其在半导体存储器领域的领先地位。