顶点光电子商城2024年6月17日消息：近日，纯化合物半导体代工厂稳懋半导体（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司扩大了其RF GaN技术组合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化镓（GaN）技术测试版NP12-0B平台。

          NP12-0B平台的核心是0.12μm栅极RF GaN HEMT技术，该技术结合了多项改进，以增强直流和射频的耐用性，并增加芯片级防潮性。

          NP12-0B集成了多项晶体管改进，在深度饱和/高压缩脉冲和连续波条件下运行时具备高耐用性。这种新的耐用技术通过消除在GaN HEMT功率放大器中观察到的脉冲下降现象，从而提高了脉冲模式雷达系统的范围和灵敏度。

            NP12-0B还提供增强型防潮性选项，在塑料封装中使用时具有出色的耐湿性。

             NP12-0B平台支持全MMIC，允许客户开发适用于50GHz以下应用的紧凑型脉冲或CW饱和功率放大器。该工艺适用于28V工作电压，在29GHz频段可产生4.5 W/mm的饱和输出功率，线性增益为12 dB，功率附加效率超过40%。该技术非常适合用于先进雷达系统的坚固型脉冲模式高功率放大器。

            NP12-0B鉴定测试已经完成，最终建模/PDK生成预计将于2024年8月完成，并计划于2024年第三季度末发布完整的生产版本。

            随着对功率效率、可靠性和空间优化的关注增加，RF GaN技术正在成为各种应用的标准，特别是在电信基础设施和卫星通信领域。

            稳懋半导体此次推出的RF GaN技术，不仅体现了公司在半导体技术领域的深厚实力，也为行业内的技术发展和应用提供了新的可能性。