顶点光电子商城2024年8月9日消息：近日，三星8层堆叠HBM3E已通过英伟达所有测试，并预计今年底开始交付。

           HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是一种动态随机存取内存（DRAM）标准，最早于2013年生产，通过垂直堆叠芯片来节省空间并降低功耗。作为AI图形处理器（GPU）的关键组件，HBM有助于处理复杂应用程序产生的海量数据。随着生成式AI热潮的兴起，对高端GPU及其配套内存的需求急剧增加，因此三星和英伟达等公司在这一领域的合作备受关注。

          三星8层堆叠HBM3E芯片预计将在今年底（即2024年年底）开始交付。这一时间点与之前的报道相符，即三星和英伟达虽未签署已获批的供应协议，但预计很快就会达成协议，并在2024年第四季度开始供应。

          在HBM市场，三星面临着来自SK海力士和美光等竞争对手的激烈竞争。SK海力士一直是英伟达的主要HBM芯片供应商，并预计整个HBM内存芯片的需求到2027年可能以每年82%的速度增长。三星的8层HBM3E芯片的成功测试和即将交付，有望使其在这一市场中占据更有利的地位。

          随着生成式AI技术的不断发展，对高性能GPU及其配套内存的需求将持续增长。HBM3E芯片作为AI图形处理器的关键组件，其市场前景被广泛看好。研究机构TrendForce表示，HBM3E芯片今年可能成为主流HBM产品，出货集中在下半年。因此，三星8层堆叠HBM3E芯片的交付将有望推动整个科技行业的发展。

            三星表示将加强与合作伙伴的联动，共同打造生态系统，推动行业标准的制定和发展。这一举措有助于三星在HBM市场中建立更广泛的合作网络，并进一步提升其市场地位。

             随着HBM3E的问世和交付，高性能存储领域将迎来一场技术革命。这不仅将推动整个科技行业的进步，还将为企业和用户带来前所未有的发展机遇。

            三星8层堆叠HBM3E芯片已通过英伟达所有测试，并预计在今年底开始交付。这一消息对于三星在HBM市场中的地位提升以及整个科技行业的发展都具有重要意义。